深圳市兴科创展电子商行

场效应管 MOSFET N TOV 9.5A 晶体管*性: ñ频道
电流, Id 连续: 9.3A
电压, Vds *大: 200V
在电阻RDS（上）: 300mohm
电压 @ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th 典型值: 4V
功耗, Pd: 82W
封装类型: TO-220AB
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (18-Jun-2012)
功率, Pd: 82W
功耗: 82W
封装类型: TO-220AB
漏*电流, Id *大值: 9.3A
热阻, 结至外壳 A: 1.83°C/W
电压 Vgs @ Rds on 测量: 10V
电压, Vds 典型值: 200V
电压, Vgs *高: 4V
电流, Idm 脉冲: 37A
表面安装器件: 通孔安装
阈值电压, Vgs th *高: 4V

深圳市科创兴电子,是*的电子元器件供应商.

经销：

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